磁控溅射二氧化硅靶材的过程中会有氧产生吗
最佳答案：
溅射靶材的温度取决于能量的高低，举例：-1气压，功率5KW，偏压0。靶材表面温度为200度左右，基片温度不会高于100度~如果上升到10Kw，靶材表面温度会接近400度，基片会达到150度左右，我说的基片距离靶材有10厘米左右~ 此时热量为热辐射传热。
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溅射靶材的温度取决于能量的高低，举例：-1气压，功率5KW，偏压0。靶材表面温度为200度左右，基片温度不会高于100度~如果上升到10Kw，靶材表面温度会接近400度，基片会达到150度左右，我说的基片距离靶材有10厘米左右~ 此时热量为热辐射传热。