在一般的磁控溅射过程中，溅射靶材的温度会达到多高？且溅射腔室内部，靠近基片传输的位置，温度会有多高？
在一般的磁控溅射过程中，溅射靶材的温度会达到多高？且溅射腔室内部，靠近基片传输的位置，温度会有多高？
最佳答案：
溅射靶材的温度取决于能量的高低，举例：-1气压，功率5KW，偏压0。靶材表面温度为200度左右，基片温度不会高于100度~如果上升到10Kw，靶材表面温度会接近400度，基片会达到150度左右，我说的基片距离靶材有10厘米左右~
此时热量为热辐射传热，离靶材远的地方辐射相对小，温度就低一点~
此时热量为热辐射传热，离靶材远的地方辐射相对小，温度就低一点~