四丰电子知识问答
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钨靶材有什么用?

最佳答案:

       钨靶材经常作为物理气相沉积用溅射靶材,在半导体领域用于制作栅电极、连接布线、扩散阻挡层等。钨靶材主要应用于航天、稀土冶炼、电光源、化工设备、医疗器械、冶金机械、熔炼设备、石油、等领域。

 

       其中,纯钨靶材主要用作金属层间的通孔和垂直接触的接触孔的填充物,即钨塞。而钨合金靶材,如WSi2,主要用在栅极多晶硅的上部作为多晶硅硅化物结构和局部互联线。随着半导体芯片尺寸越来越小,铜互连尺寸的缩小导致纳米尺度上电阻率的增加,这已成为制约半导体工业发展的一个技术瓶颈。有研究表明,难熔金属钨有望取代铜成为下一代的半导体布线金属材料。

钨靶材 

       特点

 

       喷涂、烧结后的钨靶,具有99%的密度甚至更高、平均透明纹理的直径为100um甚至更小、含氧20ppm或更少,偏转角力为500Mpa左右的特性;提高未加工金属粉末的生产,提高烧结的能力,可以使钨靶的成本稳定在一个低价位。烧结后的钨靶密度高,具有传统的压制烧结方法所无法达到的高水准的透明框架,并且明显改善了偏转角力,以致颗粒物显著的减少。

 钨靶材

       物理性质

 

       元素符号: W

       原子序数: 74

       稳定同位素及其所占%: 180(0.14);182(26.41); 183(14.40);184(30.64);186(28.41)

       相对原子质量: 183.85

       自由原子的电子层结构: 1s22s22p63s23p63d104s24p64d104f145s25P65d46S2

       原子体积: 9.53 cm3/mol

       密度: 19.35 g/cm3

       晶体结构及晶格常数: α-W:体心立方 a=3.16524 nm(25℃)

       β-W:立方晶格 a=5.046 nm(630℃以下稳定)

       熔点: 3410±20℃

       沸点: 5927℃

       熔化潜热: 40.13±6.67kJ/mol

       升华热: 847.8 kJ/mol(25℃)

       蒸发热: 823.85±20.9kJ/mol(沸点)

       电阻温度系数: 0.00482 I/℃

       电子逸出功: 4.55 eV

       热中子俘获面: 19.2 b

       弹性模量: 35000~38000 MPa(丝材)

       扭力模量: ~36000Mpa

       体积模量: 3.108×1011-1.579×107t+0.344×103t2 Pa

       剪切模量: 4.103×1011-3.489×107t+7.55×103t2 Pa

       压缩性: 2.910-7 cm/kg

       钨有两种变型,α和β。在标准温度和常压下,α型是稳定的体心立方结构。β型钨只有在有氧存在的条件下才能出现。它在630℃以下是稳定的,在630℃以上又转化为α钨,并且这一过程是不可逆的。

       纯度:钨99.95%以上

       密度:19.35g/cm3

       表面状态:磨光或碱洗