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靶材溅射镀膜的种类及特点,基本全在这了

[ 发布日期:2020-07-21 15:43:32 点击:6076 来源:丰联科光电(洛阳)股份有限公司 【打印此文】 【关闭窗口】]
  溅射靶材在生产过程过有个环节是真空镀膜,在真空镀膜中,方法主要有蒸发镀膜和溅射镀膜,其中溅射镀膜又可以分为不同种类,今天四丰电子材料的小编就带大家了解下靶材溅射镀膜的种类及特点。
  

  一、按电极结构分类

  溅射靶材

  1、磁控溅射

  
  磁控溅射也可以叫做高速低温溅射,在与靶表面平行的方向上施加磁场,利用电场和磁场相互垂直的磁控管原理减少电子对基的轰击,使高速溅射成为可能。对Cu来说,溅射沉积速率为1.8μm/min时,温升为2℃/μm。CU的自溅射可在10-6Pa的低压下进行。
  

  2、二极溅射

  
  二级溅射的特点是构造简单,在大面积的基板上可以制取均匀的薄膜,放电电流流随气压和电压的变化而变化。
  

  3、三或四极溅射

  
  三或四极溅射特点为可实现低气压、低电医溅射,放电电流和轰击靶的离子能量可独立调节控制。可自动控制靶的电流。也可进行射频溅射。
  

  二、其他分类

溅射靶材  

  1、偏压溅射

  
  (1)偏压溅射特点是在镀膜过程中同时清除基板上轻质量的带电粒子,从而使基板中不含有不纯气体,如H20、N2等残留气体等。
  
  (2)偏压溅射就是在成膜的基板上施加几百伏的负偏压,可使膜层致密、改善膜层的性能。
  
  (3)偏压溅射与二极溅射的区别在于基片上施加固定直流偏压,若施加的是负偏压,则在薄膜淀积过程中,基片表面都将受到气体离子的稳定轰击,随时清除可能进入薄膜表面的气体,有利于提高薄膜的纯度,另外偏压溅射还可以改变淀积薄膜的结构。
  

  2、对向靶溅射

  
  对向靶溅射特点是两个靶对向布置,在直于靶的表面方向加上磁场,基板位于磁场之外。可以对磁性材料行高速低温溅射。对向靶溅射的优点是溅射速率高,基板温度低,可淀积磁性薄膜。
  

  3、射频溅射

  
  (1)射频溅射特点是开始是为了制取绝缘体如石英、玻璃、Al2O3的薄膜而研制的。也可射镀制金属膜。靶表面加磁场可以进行磁控射频溅射。
  
  (2)射频溅射是利用射频放电等离子体中的正离子轰击靶材、溅射出靶材原子从而沉积在接地的基板表面的技术。射频溅射几乎可以用来沉积任何固体材料的薄膜,获得的薄膜致密、纯度高、与基片附着牢固、建设速率大、工艺重复性好。常用来沉积各种合金膜、磁性膜以及其他功能膜。
  
  (3)射频溅射是在射频电压作用下,利用电子和离子运动特征的不同,在靶的表面感应出负的直流脉冲,而产生溅射现象,能对绝缘体进行溅射镀膜。
  

  4、离子束溅射

  
  离子束溅射又称离子束沉积,是在离子束技术基础上发展起来的新的成膜技术,特点在高真空下,利用离子束溅射镀膜,是非等离子体状态下的成膜过程。靶接地电位也可,丕可以进行反应离子束溅射。虽然这种镀膜技术所设计到现象比较复杂,但通过核实的选择靶材及例子能量、种类等,可以比较容易地制取各种不同的金属、氧化物、氮化物及其他化合物等薄膜,特别适合制作多组元金属氧化物薄膜。目前这一技术已在磁性材料、超导材料以及其他电子材料的薄膜制备方面得到应用,
  

  5、反应溅射

  
  反应溅射是指在存在反应气体的情况下,溅射靶材时,靶材会与反应气体反应形成化合物,如氮化物或氧化物,在惰性气体溅射化合物靶材时由于化学不稳定性往往导致薄膜较靶材少一个或更多组分,此时如果加上反应气体可以补偿所缺少的组分,这种溅射也可以视为反应溅射。反应物之间产生反应的必要条件是,反应物分子必须有足够高的能量以克服分子间的势垒。
  
  以上就是靶材溅射镀膜的种类及特点介绍,希望能帮助大家对靶材行业有所了解。在按电极结构分类中磁控溅射是在二级溅射和三级溅射的基础上发展起来的,由于磁控溅射可在低温和低损伤条件下实现高速沉积,已成为目前靶材生产的主要方式。洛阳高新四丰电子材料有限公司主营各材料的溅射靶材,靶材年产能1000吨,具有先进工艺装备,可在合理范围内根据产品不同种类的实际情况进行调换或退货,如有需求,欢迎大家来电咨询或在下方留言。